В связи с продолжающимся усовершенствованием ИИ-серверов и коммутаторов объём NOR-памяти на одну единицу такой продукции, как ожидают аналитики DigiTimes, вырастет в несколько раз на фоне прогнозируемого дефицита высокопроизводительных компонентов.

Согласно прогнозу DigiTimes, во II квартале 2026 года цены на NOR Flash вырастут последовательно на 40–50 %, причем по некоторым позициям клиенты будут готовы платить надбавки, чтобы гарантировать поставки в рамках контрактов. Что касается памяти SLC NAND и MLC NAND, то здесь ожидается ещё более значительный рост цен — на 400–500 % во II квартале в годовом исчислении, что побудит тайваньского производителя Winbond Electronics ускорить расширение мощностей по производству SLC NAND. Winbond выпускает NOR-память для ИИ-серверов и сетевых приложений с использованием 58-нм техпроцесса, в то время как память для носимых устройств, таких как Bluetooth-гарнитуры, производится по 45-нм техпроцессу.

DigiTimes отметил, что более сложный дизайн NVIDIA GB300 по сравнению с GB200 с большим объёмом памяти и более высокими требованиями к её спецификациям обусловил рост спроса на модули NOR ёмкостью 512 Мбайт и 1 Гбайт. Но запасы модули NOR-памяти большой ёмкости остаются относительно ограниченными. По данным источников, цены на NOR-флеш выросли в I квартале 2026 года примерно на 30 %, а на некоторые позиции — на 50 %. Хотя масштабы повышения цен менее значительны, чем в категории DDR4, предложение NOR остаётся ограниченным, и ожидается, что контрактные цены неё во II квартале вырастут ещё на 40–50 %, а сроки поставки специальных вариантов увеличатся до 12–14 недель.

Источник изображения: Winbond

Тайваньский производитель Macronix тоже утверждает, что продолжающийся рост выпуска серверов для ИИ-нагрузок создаёт структурную напряжённость на рынке NOR, которую будет сложно преодолеть в краткосрочной перспективе. Уход крупных производителей NAND-памяти с рынков SLC NAND и MLC NAND ещё больше подстегнул дефицит и позволил Winbond и Macronix выступать на рынке в качестве основных поставщиков. Цены Macronix на MLC eMMC недавно выросли вдвое по сравнению с декабрём 2025 года. Несмотря на авансовые платежи, внесённые ранее в этом году, клиентам не обеспечили поставки до китайского Нового года, что сделало эту продукцию крайне дефицитной на нишевых рынках, пишет DigiTimes.

Доля в выручке Macronix от памяти NAND (включая eMMC) выросла до 21 %, более чем вдвое превысив уровень прошлого года. Контрактные цены Winbond на память SLC NAND во II квартале 2026 года, как ожидается, резко вырастут по сравнению с аналогичным периодом 2025 года — до 400–500 %. Цены Winbond на SLC NAND в I квартале выросли больше всего в её портфолио, превысив рост цен на DDR4.

Компания планирует расширение своих мощностей по производству памяти. В частности, будут запущены производственные линии по выпуску DRAM на заводе в Гаосюне (Gāoxióng). Сообщается, что мощность завода компании в Тайчжуне (Táizhōng) составляет примерно 58 тыс. пластин в месяц, включая приблизительно 25 тыс. пластин для NOR, 15 тыс. пластин для NAND и 10 тыс. пластин для DRAM. Ожидается значительное увеличение общего объёма производства до примерно 50 тыс. пластин памяти NOR и SLC NAND с более высокой рентабельностью.

Источник изображения: Macronix

Согласно данным Winbond, на SLC NAND, производимую по 46-нм и 32-нм техпроцессам, приходится около 15–25 % выручки. Её доля в выручке компании будет расти по мере роста цен, что приведет к сокращению мощностей, выделенных на производство DRAM по устаревшим техпроцессам. Цены на флеш-память, изготовленную по традиционным технологиям, стремительно растут, а спрос на NOR-память большой ёмкости увеличился в несколько раз.

По данным источников DigiTimes, Winbond, увеличившая объёмы поставок, недавно завершила согласование цен по контрактам на I квартал 2026 года. Ожидается, что рост цен на DRAM, начавшийся в IV квартале 2025 года, продолжится и во II квартале 2026 года, что ознаменует собой третий подряд квартал роста и фактически удвоение контрактных цен в годовом исчислении. Также сообщается, что новые производственные мощности Winbond, запланированные к вводу в эксплуатацию в 2027 году, уже полностью забронированы.

Глава Winbond сообщил о резко увеличившемся количестве запросов от клиентов, что создало дефицит предложения и затрудняет удовлетворение всех их потребностей. Помимо прямых клиентов первого уровня, владельцы брендов второго уровня и операторы третьего уровня всё чаще обходят посредников и ведут переговоры напрямую с Winbond, что отражает высокий рыночный спрос, отметил DigiTimes.

Флеш-память типа NOR появилась чуть раньше, чем NAND, но благодаря дешевизне и простоте масштабирования именно NAND получила более широкое распространение. Этому во многом помогло освоение технологии 3D NAND, благодаря которой удалось серьёзно нарастить ёмкости серийных накопителей.

NOR не умерла, поскольку у неё есть преимущества перед NAND — быстрый случайный доступ вкупе с надёжностью, благодаря чему она часто используется во встраиваемых и индустриальных решениях для хранения прошивок, BIOS и т.д. Однако отсутствие многослойности серьёзно сдерживало масштабирование данного типа флеш-памяти. Но тайваньская компания Macronix, специализирующаяся на создании нишевых NAND- и NOR-решений, собирается это изменить.

3D NOR. Источник: Macronix

Ещё в 2022 году Macronix объявила о том, что работает над созданием 32-слойной памяти 3D NOR, что позволит нарастить ёмкость в сравнении с 2D NOR в семь раз. Основными рыночными нишами для данной разработки были названы встраиваемые и промышленные приложения, а также сфера автомобильного транспорта.

Структурно 3D NOR состоит из многослойного «бутерброда» с чередующимися слоями оксидов и нитридов, который пронизывают так называемые «пробки» — довольно сложные вертикальные структуры, состоящие из двух столбцов полупроводника, легированного по n-типу, с прокладкой из нитрида кремния между ними. Две такие «пробки» на каждую ячейку служат в качестве стока и истока для транзисторов, составляющих каналы бит-столбцов. Строки слов (и затворы вышеупомянутых транзисторов) расположены ортогонально.

Источник: Macronix

Новая память рассчитана на 100 тыс. циклов перезаписи с полным стиранием, имеет задержку доступа в районе 100 нс и линейную скорость доступа 400 Мбайт/с на кристалл (DDR-200). Она также характеризуется низким энергопотреблением (питание 1,8 или 3 В), может иметь интерфейсы QSPI/Octal и отвечает стандартам надёжности AECQ-100 и ISO 26262 ASIL уровня B. Упаковываются кристаллы в стандартные корпуса 24-BGA.

В опубликованных ранее материалах компании говорилось о планах начать массовое производство 3D NOR ёмкостью 1, 2, 4 и 8 Гбит в 2024 году. В реальности новинки несколько задержатся — опытные поставки начнутся в этом году, а широкой доступности чипов раньше 2025 года ждать не стоит.